半导体设备需要大量的精密陶瓷部件。由于陶瓷具有高硬度、高弹性模量、高耐磨、高绝缘、耐腐蚀、低膨胀等优点，可用作硅片抛光机、外延/氧化/扩散等热处理设备、光刻机、沉积设备，半导体刻蚀设备，离子注入机等设备的零部件。半导体陶瓷有氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅等，在半导体设备中，精密陶瓷的价值约占16%左右。精密陶瓷作为第三代新兴材料，已经被引入到各种装备之中，充当着重要的角色，这为精密陶瓷的应用提供了广阔的用武之地。

随着芯片生产的技术的不断提高，半导体制造设备持续向精密化、复杂化演变，高精密陶瓷关键部件的技术要求也越来越高。近年来东莞官方网站机械持续为国内外半导体企业加工了众多高精密的半导体零部件，如果您也有这样的加工需求可以联系我们。

其中陶瓷部件包括：

1、氧化铝(Al₂O₃)

2、碳化硅(SiC)

3、氮化铝(AIN)

4、氮化硅(Si3N4)

5、氧化钇（Y2O3）

氧化铝：

氧化铝在半导体装备中使用最为广泛的精密陶瓷材料。具有材料结构稳定，机械强度高，硬度高，熔点高，抗腐蚀，化学稳定性优良，电阻率大，电绝缘性能好等优点，在半导体设备中应用广泛。

在半导体刻蚀设备中，刻蚀机腔室材料作为晶圆污染的主要来源，等离子刻蚀对其影响程度决定了晶圆的良率、质量、刻蚀工艺的稳定性等。因此，刻蚀机腔室材料的选用尤为重要。当前，主要采用高纯Al₂O₃涂层或Al₂O₃陶瓷作为刻蚀腔体和腔体内部件的防护材料。

碳化硅

碳化硅具有高导热性、高温机械强度、高刚度、低热膨胀系数、良好的热均匀性、耐腐蚀性、耐磨耗性等特性。碳化硅在高达1400℃的极端温度下，其仍能保持良好的强度。采用碳化硅陶瓷的研磨盘由于硬度高而磨损小，且热膨胀系数与硅晶片基本相同，因而可以高速研磨抛光。

在硅晶片生产时，需要经过高温热处理，常使用碳化硅夹具运输，其耐热、无损，可在表面涂敷类金刚石（DLC）等涂层，可增强性能，缓解晶片损坏，同时防止污染扩散。此外，碳化硅陶瓷还可应用在XY平台、基座、聚焦环、抛光板、晶圆夹盘、真空吸盘、搬运臂、炉管、晶舟、悬臂桨等。

氮化铝

高纯氮化铝陶瓷具有卓越的热传导性，耐热性、绝缘性，热膨胀系数接近硅，且具有优异的等离子体抗性，产品热量分布均匀。可应用于晶片加热的加热器、静电夹盘等。

氮化硅

氮化硅(Si3N4）是断裂韧性高、耐热冲击性强、高耐磨耗性、高机械强度、耐腐蚀的材料。可应用于半导体设备的平台、轴承等部件。

氧化钇

氧化钇（Y2O3）为立方结构，熔点高，化学和光化学稳定性好，光学透明性范围较宽，声子能量低，容易实现稀土离子的掺杂具有卓越的等离子体抗性，对于务必避免颗粒污染的半导体加工设备应用而言是理想之选，因为它能降低设备维护要求，从而提高生产力。氧化钇目前主要用途用在刻蚀陶瓷环等

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