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【官方网站机械】三大半导体BGA封装工艺及流程

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  • 添加日期:2021年07月08日

一、引线键合半导体PBGA的封装工艺流程

1、PBGA基板的制备

在BT树脂/玻璃芯板的两面层压极薄(12~18μm厚)的铜箔,然后进行钻孔和通孔金属化。用常规的PCB加3232艺在基板的两面制作出图形,如导带、电极、及安装焊料球的焊区阵列。然后加上焊料掩膜并制作出图形,露出电极和焊区。为提高生产效率,一条基片上通常含有多个PBG基板。

2、封装工艺流程

圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→等离子清洗→引线键合→等离子清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试斗包装。

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二、FC-CBGA的封装工艺流程

1、陶瓷基板

FC-CBGA的基板是多层陶瓷基板,它的制作是相当困难的。因为基板的布线密度高、间距窄、通孔也多,以及基板的共面性要求较高等。它的主要过程是:先将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片,再在基片上制作多层金属布线,然后进行电镀等。在CBGA的组装中,基板与芯片、PCB板的CTE失配是造成CBGA产品失效的主要因素。要改善这一情况,除采用CCGA结构外,还可使用另外一种陶瓷基板--HITCE陶瓷基板。

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2、封装工艺流程

圆片凸点的制备->圆片切割->芯片倒装及回流焊->底部填充导热脂、密封焊料的分配->封盖->装配焊料球->回流焊->打标->分离->最终检查->测试->包装。

三、引线键合TBGA的封装工艺流程

1、TBGA载带

TBGA的载带通常是由聚酰亚胺材料制成的。在制作时,先在载带的两面进行覆铜,然后镀镍和镀金,接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形。因为在这种引线键合TBGA中,封装热沉又是封装的加固体,也是管壳的芯腔基底,因此在封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。

2、封装工艺流程

圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→最终检查→测试→包装。

BGA封装流行的主要原因是由于它的优势明显,封装密度、电性能和成本上的独特优点让其取代传统封装方式。BGA封装会有越来越多的改进,性价比将得到进一步的提高,BGA封装有灵活性和优异的性能,未来前景广阔。